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產(chǎn)品中心熱電電磁測(cè)試儀TFA-薄膜分析儀薄膜分析儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：林賽斯TFA L59 薄膜分析儀，是一個(gè)高度集成的測(cè)量平臺(tái)。其獨(dú)特的預(yù)結(jié)構(gòu)化芯片設(shè)計(jì)，支持對(duì)通過(guò)多種方法制備的5nm至25μm薄膜，在單次測(cè)量中（-160°C至280°C）即可同時(shí)、同向獲取面內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)、電導(dǎo)率及塞貝克系數(shù)等關(guān)鍵參數(shù)，極大簡(jiǎn)化了半導(dǎo)體、陶瓷等薄膜材料的研發(fā)表征流程。
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2026-02-06
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量：125
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產(chǎn)品分類
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新型林賽斯 薄膜分析儀 TFA L59 設(shè)備可用于表征薄膜的物理特性，它是一個(gè)高度集成且易于使用的測(cè)量平臺(tái)。
TFA L59 薄膜分析儀 基本配置包括一個(gè)測(cè)量芯片（樣品可以輕松地沉積在其上面）以及一個(gè)用于提供所需環(huán)境條件的測(cè)量腔室。根據(jù)應(yīng)用的不同，該配置可與鎖相放大器和 / 或強(qiáng)電磁體配合使用。測(cè)量通常在高真空條件下進(jìn)行，并且在測(cè)量過(guò)程中，利用液氮（LN2）和功率強(qiáng)勁的加熱器，樣品溫度可控制在 -160 ℃ 至 280 ℃ 之間。
測(cè)量芯片將用于測(cè)量導(dǎo)熱系數(shù)的 3ω 測(cè)量技術(shù)與用于確定電輸運(yùn)性質(zhì)的四點(diǎn)范德堡裝置相結(jié)合，塞貝克系數(shù)可以通過(guò)位于范德堡電極附近集成的電阻溫度計(jì)來(lái)測(cè)量。為了便于樣品制備，可以使用剝離箔掩?；蚪饘偈a罩。
這種配置允許對(duì)通過(guò)物理氣相沉積（PVD，例如熱蒸發(fā)、濺射、分子束外延）、化學(xué)氣相沉積（CVD，例如原子層沉積）、旋涂、滴鑄或噴墨打印等方法制備的樣品，在一步操作中幾乎同時(shí)進(jìn)行表征。
該系統(tǒng)的一大優(yōu)勢(shì)在于能夠在一次測(cè)量過(guò)程中同時(shí)測(cè)定多種物理性質(zhì)。所有的測(cè)量都是在相同的（面內(nèi)）方向上進(jìn)行的，因此具有很強(qiáng)的可比性。
| 類型 | TFA L59 | ||
| 溫度范圍： | RT - 280 °C -160 °C - 280 °C | 真空度： | 10E-4 mbar |
| 樣品厚度： | 5 nm - 25 μm（取決于樣品） | 電子設(shè)備： | 集成式 |
| 測(cè)量原理： | 基于芯片構(gòu)造（預(yù)結(jié)構(gòu)化的測(cè)量芯片，每盒 24 個(gè)） | 接口： | USB |
樣品制備方法： | 物理氣相沉積（濺射、汽化）、原子層沉積、旋涂、 噴墨打印等 | 導(dǎo)熱系數(shù)： | 0.05 - 200 W/(m?K) 3ω 法，熱帶法（面內(nèi)測(cè)量） |
| 測(cè)量參數(shù)： | 導(dǎo)熱系數(shù) （3ω 法） 比熱容 | 電導(dǎo)率： | 0.05 - 1×106 S/cm Van der Pauw 四探針測(cè)量法 |
| 自選模塊： | 塞貝克系數(shù) / 電導(dǎo)率 / 電阻率 霍爾常數(shù) / 霍爾遷移率 / 電荷載流子密度 (電磁體（磁場(chǎng)強(qiáng)度）可達(dá) 1 T，永磁體（磁場(chǎng)強(qiáng)度）為 0.5 T) | 塞貝克系數(shù)： | 5 - 2500 μV/K |
企業(yè)名稱：林賽斯（上海）科學(xué)儀器有限公司
公司地址：上海市浦東新區(qū)陸家嘴數(shù)智天地·智慧谷T3棟120號(hào)
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